De la mémoire flash gravée en 25 nm

first_imgDe la mémoire flash gravée en 25 nmÉtats-Unis – Micron et Intel ont lancé leur première puce flash gravée en 25 nm. Ce progrès permettra de réaliser des composants plus performants à moindre coût.Micron et Intel possèdent désormais une longueur d’avance sur la concurrence. En lançant leur première mémoire gravée en 25 nm, les deux entreprises ont réalisé un bond en avant : “Nous comptons repousser encore les limites de la miniaturisation. Cette technique de gravure aura des avantages importants pour nos clients, grâce à une densification des solutions médias”, explique Brian Shirley, vice-président memory group chez Micron.Désormais, grâce à cette technologie, les composants seront plus performants, moins gourmands en énergie et moins coûteux. Pour le moment, les entreprises utilisent des composants 34 nm. Les puces en 25 nm devraient être disponibles au deuxième trimestre 2010.Le 2 février 2010 à 16:28 • Emmanuel Perrinlast_img

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